精密儀器設(shè)備捆包搬運(yùn)-氣墊車運(yùn)輸搬運(yùn)掏箱的亞瑟報(bào)道：據(jù)報(bào)道，半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍由imec和ASML組成的imec-ASML 聯(lián)合High NA實(shí)驗(yàn)室在開發(fā)圖案化和蝕刻工藝、篩選新的光刻膠和底層材料、改進(jìn)計(jì)量和光掩模技術(shù)方面取得了進(jìn)展。半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍“Imec 正在與 ASML 就 High-NA 技術(shù)展開合作，因?yàn)?ASML 正在構(gòu)建其半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍原型 0.55NA EUV 光刻掃描儀 EXE:5000，”Imec 首席執(zhí)行官 Luc Van den Hove 日前表示，“與當(dāng)前的 0.33NA EUV 光刻相比，High-NA EUV 光刻預(yù)計(jì)將打印2nm 以上的邏輯芯片所需的半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍關(guān)鍵功能具有更少的圖案化步驟。我們的職責(zé)是與半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍圖案化生態(tài)系統(tǒng)緊密合作，確保及時(shí)提供半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍的抗蝕材料、光掩模、計(jì)量技術(shù)、（變形）成像策略和圖案化技術(shù)——充分受益于 High-NA光刻機(jī)提供的分辨率增益。”在今年的 SPIE半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍光刻會(huì)議上，這個(gè)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室將在 High-NA EUV 光刻領(lǐng)域有 12 個(gè)貢獻(xiàn)。在對(duì)半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍High-NA EUV 原型系統(tǒng)的預(yù)期中，Imec 正在提高當(dāng)前 0.33NA EUV 圖案化技術(shù)的分辨率能力，以預(yù)測用于印刷細(xì)線/空間和接觸孔的更薄抗蝕劑的性能。除了圖案塌陷之外，imec 還將線邊緣粗糙度 (LER) 確定為用薄抗蝕劑膜圖案化線/空間的半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍關(guān)鍵參數(shù)之一，并提出了減輕圖案粗糙度的策略（例如，通過調(diào)整照明和掩模條件）。此外，imec 及其材料供應(yīng)商展示了在High NA 條件下篩選具有良好圖案轉(zhuǎn)移能力的新型光刻膠材料（如金屬氧化物光刻膠）和底層的結(jié)果。他們還提出了專門的圖案化和蝕刻方案，旨在減少缺陷和隨機(jī)印刷失敗。（論文編號(hào) 12051-7；12055-4；12056-28）半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍在向更小的特征尺寸（例如，10nm 寬的線）和更薄的抗蝕劑膜（20nm 及以下）的轉(zhuǎn)變，產(chǎn)業(yè)迎來了兩個(gè)重要方面對(duì)計(jì)量提出了挑戰(zhàn)。首先，計(jì)量學(xué)家需要應(yīng)對(duì) CD-SEM 工具大幅降低的圖像對(duì)比度；其次，需要對(duì)小于 10nm 的特征進(jìn)行成像（考慮到疊加性能、LER 和隨機(jī)打印失?。?，需要具有更高分辨率的計(jì)量工具。半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍Imec 高級(jí)圖案化項(xiàng)目總監(jiān) Kurt Ronse 說：“Imec 及其合作伙伴采取了幾個(gè)方向來應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)。他們表明，通過調(diào)整現(xiàn)有計(jì)量工具的操作條件，可以顯著提高圖像對(duì)比度。在深度學(xué)習(xí)框架（如基于深度學(xué)習(xí)的去噪）的支持下，專用軟件進(jìn)一步增強(qiáng)了圖像分析和缺陷分類半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍通過與計(jì)量供應(yīng)商的密切合作，imec 探索了用于可靠測量小特征的替代計(jì)量技術(shù)，例如高通量掃描探針計(jì)量和低壓像差校正 SEM。” （論文編號(hào) 12053-2；12053-3；12053-5；12053-22；12053-43；12053-64）