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聚焦離子束(FIB)顯微鏡裝卸-搬運(yùn)

2021-02-01  來(lái)自: 亞瑟半導(dǎo)體設(shè)備安裝(上海)有限公司 瀏覽次數(shù):289

聚焦離子束(FIB)顯微鏡裝卸-搬運(yùn)我國(guó)發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),聚焦離子束(FIB)顯微鏡裝卸-搬運(yùn)觀察到光刻技術(shù)是繞不開的課題,以國(guó)內(nèi)目前薄弱的基礎(chǔ),短期內(nèi)攻克EUV設(shè)備并不現(xiàn)實(shí)。對(duì)此,實(shí)?驗(yàn)?室?搬?遷?的Arthur指出,高性能光刻技術(shù)對(duì)中國(guó)企業(yè)來(lái)說(shuō)成本高昂,但是其戰(zhàn)略意義不容忽視。中國(guó)要推進(jìn)完整的光刻工業(yè)體系的發(fā)展,只能采取從低到高的策略,比如193nm深紫外ArF干式光刻機(jī)、浸沒(méi)式光刻機(jī),以及周邊設(shè)備材料等,EUV是整套體系中困難的一塊。要實(shí)現(xiàn)強(qiáng)大的功能,EUV就***克服電能消耗以及光源等因素的影響?!敝袊?guó)電子科技集團(tuán)公司第四十五研究所集團(tuán)首席專家柳濱表示,EUV雖然售價(jià)超過(guò)了一億美元,但是高額的價(jià)格并不是問(wèn)題。

EUV的問(wèn)題是電能消耗。

其電能消耗是傳統(tǒng)193nm光刻機(jī)的10倍,因?yàn)闃O紫外光的波長(zhǎng)僅有13.5nm,投射到晶圓表面曝光的強(qiáng)度只有光進(jìn)入EUV設(shè)備光路系統(tǒng)前的2%。

在與7nm成本比較中,7nm的EUV生產(chǎn)效率在80片/小時(shí)的耗電成本將是14nm的傳統(tǒng)光刻生產(chǎn)效率在240片/小時(shí)的耗電成本的一倍,這還不算設(shè)備購(gòu)置成本和掩膜版設(shè)計(jì)制造成本。
除了電能以及光源,光刻膠也是EUV技術(shù)另一個(gè)需要面對(duì)的問(wèn)題。據(jù)專家介紹,光刻膠本身對(duì)于光的敏感度就十分高,但是對(duì)于不同波長(zhǎng)的光源,光刻膠的敏感度也有差異,這就對(duì)EUV光刻機(jī)產(chǎn)生了一些要求。光刻機(jī)選擇的波長(zhǎng)***和光刻膠對(duì)應(yīng)的波長(zhǎng)處于同一個(gè)波段,這樣才能提升光刻膠對(duì)于光源的吸收率,從而地實(shí)現(xiàn)化學(xué)變化。Arthur實(shí)?驗(yàn)?室?搬?遷?表示,極紫外光刻實(shí)?驗(yàn)?室?搬?遷?但正因如此也存在許多需要改進(jìn)的空間。因此,國(guó)內(nèi)廠商先在DUV等領(lǐng)域站住腳跟,從周邊設(shè)備與材料切入,逐步解決產(chǎn)業(yè)中存在的問(wèn)題,把產(chǎn)業(yè)做扎實(shí),不失為一個(gè)有效的策略。


運(yùn)營(yíng)項(xiàng)目

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