精密設(shè)備捆包打包運(yùn)輸-半導(dǎo)體設(shè)備裝卸搬運(yùn)的亞瑟報(bào)道：半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍現(xiàn)在的處理器、GPU動(dòng)輒幾百瓦，電源和散熱成了大問題。勞倫斯伯克利半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍實(shí)驗(yàn)室發(fā)表的一篇文章稱，科學(xué)家們發(fā)現(xiàn)并展示了一種用半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍處理器的新材料，其導(dǎo)熱效率提高了150%。處理器中的熱量積聚是影響性能的一個(gè)大問題，而硅作為一個(gè)半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍的熱絕緣體，抑制了冷卻。隨著新的超薄硅納米線技術(shù)的應(yīng)用，人們希望芯片能夠從一個(gè)相對(duì)簡(jiǎn)單的變化中變得更小、更快、更冷。已經(jīng)測(cè)試的關(guān)鍵變化是使用同位素純化的硅-28（Si-28）。半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍硅便宜而豐富，但熱傳導(dǎo)性差，這對(duì)于擁有數(shù)百億個(gè)晶體管、以GHz速度運(yùn)轉(zhuǎn)的微型芯片來說是個(gè)問題。硅由三種同位素組成：硅-28、硅-29和硅-30。硅-28是高的，約占硅的92%。此外，人們?cè)缇椭繱i-28是熱的導(dǎo)體。如果經(jīng)過提純，Si-28的導(dǎo)熱性能比硅好10%左右。然而，這種優(yōu)勢(shì)一直被認(rèn)為是不值得的，直到現(xiàn)在。有時(shí)，隨著補(bǔ)充技術(shù)的出現(xiàn)，技術(shù)是值得重新審視和評(píng)估的，這里似乎就是這種情況。簡(jiǎn)而言之，科學(xué)家們決定使用純化的Si-28來制造超薄的納米線。半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍硅好10%。下移到直徑為1毫米的導(dǎo)線，情況仍然如此。然而，當(dāng)他們創(chuàng)造出90納米的Si-28納米線（大約比人的頭發(fā)細(xì)一千倍）時(shí)，熱傳導(dǎo)性提高了150%，這對(duì)他們來說是一個(gè)巨大的驚喜。他們?cè)局黄谕阅芴岣?0-20%。調(diào)查揭示了Si-28納米線具有優(yōu)良導(dǎo)熱性的兩個(gè)主要原因。電子顯微鏡顯示，Si-28納米線有一個(gè)更的玻璃光澤，所以它們沒有受到硅納米線熱傳輸中聲子混淆/逃逸的缺點(diǎn)的影響。其次，在這些納米線上形成了一個(gè)的二氧化硅層，使傳輸熱量的聲子保持在軌道上?？傊捎谛虏牧系拇嬖?，以前觀察到的兩種聲子阻斷機(jī)制被大大減少。半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍那么，導(dǎo)熱性能提高150%的硅納米線有什么用？一些的晶體管設(shè)計(jì)已經(jīng)采用了硅納米線。門-全-場(chǎng)效應(yīng)晶體管（GAA-FET）使用硅納米線堆疊在一起導(dǎo)電，但它們?nèi)匀皇艿綗崃慷逊e的影響。如果這種新材料可以被替代，那么處理器設(shè)計(jì)者就可以抓住一個(gè)相對(duì)快速和容易的勝利。