無(wú)塵室設(shè)備裝卸搬家-精密儀器設(shè)備裝搬運(yùn)的亞瑟報(bào)道：近幾年臺(tái)式電腦內(nèi)存技術(shù)半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍進(jìn)步無(wú)疑是DDR5內(nèi)存和英特爾第12代酷睿系列處理器的發(fā)布。DDR5內(nèi)存不僅為許多不同的應(yīng)用提供更高的內(nèi)存帶寬，而且DDR5還提供了內(nèi)存容量的世代增長(zhǎng)，隨著時(shí)間的推移允許更高容量的UDIMM。但是，半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍與以往一樣，內(nèi)存市場(chǎng)絕不是同質(zhì)化的。只有三家真正的DRAM制造商，DIMM供應(yīng)商正在以一系列的時(shí)鐘速度提供DDR5，包括官方的JEDEC速度和X.M.P.內(nèi)存，這兩種內(nèi)存基本上都是開箱即用的。目前常用的DDR5內(nèi)存配置也有顯著的差異，包括單側(cè)內(nèi)存(1Rx8)和雙側(cè)內(nèi)存(2Rx8)，以及不同容量的UDIMM。半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍在本篇文章中，我們研究了三星的 DDR5-4800 內(nèi)存，包括 2 x 32 GB、2 x 16 GB 和 4 x 16 GB，以測(cè)量單列和雙列內(nèi)存之間的性能差異，以及及DDR5在一個(gè)或兩個(gè)內(nèi)存通道(DPC)中運(yùn)行的任何差異。由于我們也有來(lái)自 Micron 和 SK Hynix 的 DDR5-4800 DIMM 和 DRAM，我們還將在結(jié)果中查看這些，看看這三個(gè)內(nèi)存制造商之間是否存在任何性能差異。在具體這些分析之前，我們先來(lái)了解一下，DDR5究竟改變了什么。

DDR5規(guī)范初計(jì)劃于2018年發(fā)布，但直到2020年7月才亮相，這相對(duì)于JEDEC的原定計(jì)劃有些落后，但并沒有降低新存儲(chǔ)器規(guī)范的重要性。像之前的DDR每次迭代一樣，DDR5的主要再次是提高內(nèi)存密度和速度。JEDEC希望將兩者都提高一倍，半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍內(nèi)存速度設(shè)置為至少6.4Gbps，而單個(gè)封裝的LRDIMM的容半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍將達(dá)到2TB。一直以來(lái)，存在一些較小的更改以支持這些目標(biāo)或簡(jiǎn)化生態(tài)系統(tǒng)的某些方面，例如，DIMM上的電壓調(diào)節(jié)器以及芯片上的ECC我們首先簡(jiǎn)要介紹一下容量和密度，因?yàn)榕cDDR4相比，這是對(duì)標(biāo)直接的更改。DDR5的設(shè)計(jì)時(shí)間跨度為數(shù)年，它將允許單個(gè)存儲(chǔ)芯片達(dá)到64Gbit的密度，這比DDR4的16Gbit密度高出4倍。結(jié)合die堆疊，可以將多達(dá)8個(gè)管芯die為一個(gè)芯片，那么40個(gè)單元的LRDIMM可以達(dá)到2TB的有效存儲(chǔ)容量。或者對(duì)于更不起眼的無(wú)緩沖DIMM，這意味著我們終將看到典型雙列配置的DIMM容量達(dá)到128GB。當(dāng)然，半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍當(dāng)芯片制造趕上規(guī)范允許的范圍時(shí)，DDR5規(guī)范的峰值容量將用于該標(biāo)準(zhǔn)生命周期的后期。首先，內(nèi)存制造商將使用當(dāng)今可達(dá)到的密度8Gbit和16Gbit芯片來(lái)構(gòu)建其DIMM。因此，雖然DDR5的速度提升將是相當(dāng)立即的，但是隨著制造密度的提高，容量的提升將更加緩慢