2017年，ASML的量產(chǎn)的EUV光刻機(jī)正式推出。此后三星的7nm/5nm工藝，臺積電的第二代7nm工藝和5nm工藝的量產(chǎn)均高度依賴于0.55數(shù)值孔徑的EUV光刻機(jī)來進(jìn)行生產(chǎn)。目前英特爾、臺積電、三星等頭部的晶圓制造廠商正大力投資更的3nm、2nm技術(shù)，以滿足高性能計(jì)算等芯片需求。而3/2nm工藝的實(shí)現(xiàn)則需要依賴于ASML新一代的高數(shù)值孔徑 (High-NA) EUV光刻機(jī)EXE:5000系列。但是，High NA EUV光刻系統(tǒng)造價相比前代的EUV光刻機(jī)也更高了，達(dá)到了3億美元。據(jù)半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍了解，EXE:5000主要面向的是3nm工藝。而第二代的0.55 NA EUV光刻機(jī)TWINSCAN EXE:5200將會被用于2nm工藝的生產(chǎn)。ASML官方表示，在2021年第四季度收到了一份TWINSCAN EXE:5000的訂單。自2018年以來，ASML已經(jīng)收到四份TWINSCAN EXE:5000的訂單。此外，今年1月19日，ASML宣布2022年一季度，其第二代High－NA光刻機(jī)TWINSCAN EXE：5200獲得了訂單，第二代High－NA光刻機(jī)被用于2NM制程芯片制造，有望在2024年實(shí)現(xiàn)交付。結(jié)合2021年7月底，英特爾曾宣布將在2024年量產(chǎn)20A工藝（即2nm工藝），并透露其將臺High－NA EUV光刻機(jī)。由此表明半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍拿下首批第二代High－NA光刻機(jī)的企業(yè)或許正是英特爾。此外，業(yè)界消息顯示，臺積電此前已經(jīng)向ASML采購High－NA研發(fā)型EUV光刻機(jī)EXE：5000，在英特爾采購TWINSCAN EXE：5200后，臺積電預(yù)計(jì)在今年會跟進(jìn)下單TWINSCAN EXE：5200。據(jù)3月23日外媒報(bào)道，ASML官方表示，TWINSCAN EXE:5000將會在今年下半年出貨，每小時可生產(chǎn)185片晶圓。而TWINSCAN EXE:5200將會在2024年底出貨，每小時可生產(chǎn)超過220片晶圓。