半導(dǎo)體設(shè)備裝卸搬運(yùn)移位定位安裝的亞瑟報(bào)道：‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍村內(nèi)計(jì)算旨在消除普通計(jì)算機(jī)中計(jì)算單元和內(nèi)存的空間分離，有望實(shí)現(xiàn)更高的計(jì)算能力和能量效率，也可以消除微處理器和RAM之間字節(jié)傳輸?shù)暮臅r(shí)和耗能。例如，神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)中的向量矩陣計(jì)算可以使用crossbar architecture（模擬而非數(shù)字）來(lái)執(zhí)行。在這種方法中，兩束水平和垂直的線交叉，每一束都作為神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的輸入和輸出。在它們的交點(diǎn)上，這些線通過(guò)表示神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的加權(quán)因子（“知識(shí)”）的非易失性存儲(chǔ)器元件彼此連接。神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的輸入值作為模擬電壓值應(yīng)用到水平線上，計(jì)算結(jié)果幾乎可以在垂直線上即時(shí)獲得，也可以以模擬形式獲得，并且不需要任何數(shù)據(jù)傳輸。‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍在線交叉點(diǎn)處的非易失性存儲(chǔ)器包括憶阻器，是一種新型電子元件，其電阻可以通過(guò)外部施加的電壓而改變，并且可以與半導(dǎo)體工業(yè)中現(xiàn)有制造工藝相結(jié)合。根據(jù)應(yīng)用的不同，憶阻器在神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)中執(zhí)行計(jì)算的速度可以提高十到一百倍，其能效也可以提高十到一千倍。此外，神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)發(fā)揮主要作用的自動(dòng)駕駛車輛也可以從這種性能和效率的改進(jìn)中受益。這個(gè)例子表明，即使摩爾定律即將達(dá)到極限，電子產(chǎn)品性能的持續(xù)增長(zhǎng)也遠(yuǎn)未結(jié)束。幾十年來(lái)，MOSFET（左）一直是數(shù)字技術(shù)的主力開(kāi)關(guān)，并通過(guò)不斷小型化保持了摩爾定律的存在，柵極和源極之間的電壓決定了從源極到漏極流經(jīng)溝道的電流。在FinFET（中間）中，溝道具有鰭的形狀，使得柵極可以在三個(gè)側(cè)面上包圍它，與MOSFET相比，改善了電流控制，在MOSFET中，柵極只能從上方作用于溝道。在GAAFET（右）中，柵極完全包圍了硅納米線的溝道，這是控制電流的‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍幾何形狀。‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍與MOSFET不同，在TFET（左）中源極和漏極摻雜不同。它使用量子力學(xué)隧道效應(yīng)：柵極和源極之間的電壓決定了電荷載流子是否可以“隧穿”通過(guò)源極和漏極之間的能量勢(shì)壘，以及電流是否可能流動(dòng)。在CNFET（中）中，源極和漏極之間的溝道由碳納米管組成，柵極-源極電壓也決定了電流。在單原子晶體管（右）中，源極和柵極之間的電壓移動(dòng)單個(gè)原子，從而關(guān)閉或打開(kāi)源極和漏極之間的電路