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上海半導(dǎo)體設(shè)備裝卸搬運(yùn)

2021-07-08  來(lái)自: 亞瑟半導(dǎo)體設(shè)備安裝(上海)有限公司 瀏覽次數(shù):286

上海半導(dǎo)體設(shè)備裝卸搬運(yùn)的亞瑟報(bào)道:過(guò)往,邏輯廠商在工藝上一直處于 ‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍地位,也是使用EUV光刻機(jī)的大戶。但是現(xiàn)在存儲(chǔ)廠商的發(fā)展也來(lái)到了使用EUV光刻機(jī)階段。 ‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍此前一直表示不會(huì)采用EUV光刻的美光,也扛不住來(lái)到了EUV光刻時(shí)代,近日據(jù)韓媒報(bào)道,美光計(jì)劃到 2024 在其制造工廠中實(shí)施極紫外 (EUV) 光刻,在1γ(Gamma)節(jié)點(diǎn)的有限的層數(shù)中部署 EUV,然后會(huì)將其擴(kuò)展到具有更大層采用率的1δ(Delta)節(jié)點(diǎn)。旨在通過(guò)允許制造更小的芯片特征來(lái)保持摩爾定律的存在。半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍美光總裁兼首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra在公司21財(cái)年第三季度財(cái)報(bào)電話會(huì)議上表示:“我們一直說(shuō)我們會(huì)監(jiān)控 EUV 的進(jìn)展。我們實(shí)際上參與了 EUV 評(píng)估。我們過(guò)去使用過(guò) EUV 工具。所以我們一直說(shuō),當(dāng)我們看到 EUV 平臺(tái)以及生態(tài)系統(tǒng)變得更加成熟時(shí),我們將在我們的路線圖中攔截 EUV。美光已從 ASML 訂購(gòu)了多種 EUV 工具,”Mehrotra 證實(shí)。美光已將21財(cái)年的資本支出增加到略高于 95 億美元,其中就包含這些EUV的預(yù)付款。 ‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍2021年2月1日,SK海力士完成用于DRAM的EUV晶圓廠,它于2年前開(kāi)始建造,位于京畿道利川園區(qū)的晶圓廠名為 M16,是該公司 ‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍晶圓廠。SK海力士 ‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍為M16引進(jìn)了EUV光刻設(shè)備。SK海力士計(jì)劃使用 ‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍設(shè)備從今年下半年開(kāi)始生產(chǎn)第四代10納米DRAM產(chǎn)品,即1a-nm DRAM。

除此之外,SK海力士已與 ASML簽署了一份價(jià)值 4.75 萬(wàn)億韓元(43 億美元)的 5年合同,以采購(gòu)極紫外 (EUV) 光刻系統(tǒng),按照 ‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍EUV曝光設(shè)備預(yù)計(jì)每臺(tái)約200億日元,本次合同金額為采購(gòu)20臺(tái)以上的規(guī)模(支付金額包括安裝費(fèi)用等)。 ‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍去年年初,三星電子宣布 ‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍開(kāi)發(fā)基于 ArF-i 的 D1z DRAM 和分別應(yīng)用其 EUVL 光刻 (EUVL) 的 D1z DRAM。今年2月份,三星電子基于極紫外(EUV)光刻技術(shù)的1z-nm工藝的DRAM已經(jīng)完成了量產(chǎn)。半導(dǎo)體分析機(jī)構(gòu)TechInsights拆解了采用EUV光刻技術(shù)和ArF-i光刻技術(shù)的三星1z-nm工藝DRAM,它認(rèn)為該技術(shù)提升了三星的生產(chǎn)效率,并減小了DRAM的核心尺寸。DRAM 單元尺寸和 D/R 縮放越來(lái)越難,但三星將 D1z 的 D/R 降低到 15.7 nm,比 D1y 縮小了 8.2%。據(jù)了解,三星還將繼續(xù)為下一代DRAM增加EUV步驟。至此,存儲(chǔ)三巨頭三星、SK海力士、美光都已加碼投資EUV光刻機(jī),EUV光刻機(jī)需求不斷增加,而ASML的產(chǎn)能有限,預(yù)計(jì)各家公司將競(jìng)相采購(gòu)設(shè)備。 ‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍多年來(lái),芯片制造商使用基于光學(xué)的 193nm 波長(zhǎng)光刻掃描儀來(lái)對(duì)芯片中 ‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍功能進(jìn)行圖案化。通過(guò)多重圖案化,芯片制造商已將 193 納米光刻技術(shù)擴(kuò)展到 10/7 納米。但是在 5nm 處,當(dāng)前的光刻技術(shù)已經(jīng)失去動(dòng)力。所以EUV光刻機(jī)就被推上歷史舞臺(tái),這將NA(breaking index)從大約 1.0 提高到大約1.35納米。ASML的EUV光刻機(jī)目前使用EUV光源波長(zhǎng)在13.5nm左右,物鏡的NA數(shù)值孔徑是0.33,發(fā)展了一系列型號(hào)。但是,現(xiàn)在 ‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍EUV光刻機(jī)的NA指標(biāo)太低,解析度不夠。所以在代EUV光刻機(jī)你爭(zhēng)我搶的局面下,下一代光刻機(jī)也在被呼喚。在ASML的規(guī)劃中,第二代EUV光刻機(jī)的型號(hào)將是NXE:5000系列,其物鏡的NA將提升到0.55,進(jìn)一步提高光刻精度,半導(dǎo)體工藝想要突破1nm制程,就 半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍靠下一代光刻機(jī)。不過(guò)這也將更加昂貴,其成本超過(guò)一架飛機(jī),預(yù)計(jì)成本超過(guò) 3 億美元。 ‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍但下一代high-NA EUV 的演進(jìn)卻不是那么容易,未來(lái)工藝節(jié)點(diǎn)向高數(shù)值孔徑(“high NA”)光刻的過(guò)渡不僅需要來(lái)自系統(tǒng)供應(yīng)商(例如 ASML)的巨大工程創(chuàng)新,還需要對(duì)合適的光刻膠材料進(jìn)行高級(jí)開(kāi)發(fā)。EUV 光刻演化的一個(gè)經(jīng)常被低估的方面是相應(yīng)光刻膠材料的相應(yīng)開(kāi)發(fā)工作,尋找合適的光刻膠系統(tǒng)開(kāi)發(fā)同時(shí)進(jìn)行High-NA EUV光刻系統(tǒng)將始于N2、N2+技術(shù)節(jié)點(diǎn),ASML預(yù)計(jì)將在2022年完成High-NA EUV光刻機(jī)系統(tǒng)的驗(yàn)證,并計(jì)劃在2023年交付給客戶。ASML宣布,它現(xiàn)在預(yù)計(jì)High-NA 設(shè)備將在 2025 年或 2026 年(由其客戶)進(jìn)入商業(yè)量產(chǎn)。如三星、臺(tái)積電和英特爾等的客戶們也一直呼吁開(kāi)發(fā)High-NA 生態(tài)系統(tǒng)以避免延誤。


運(yùn)營(yíng)項(xiàng)目

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