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鍍膜設(shè)備裝卸搬運(yùn)-移入搬遷找亞瑟

2021-04-15  來自: 亞瑟半導(dǎo)體設(shè)備安裝(上海)有限公司 瀏覽次數(shù):219

鍍膜設(shè)備裝卸搬運(yùn)-移入搬遷找亞瑟觀察到功率半導(dǎo)體被比喻為純電動(dòng)汽車和工業(yè)設(shè)備等需要較多電力的設(shè)備的“肌肉”。這些設(shè)備需要將通過電池等獲得的電力地轉(zhuǎn)換為動(dòng)力,鍍膜設(shè)備裝卸搬運(yùn)的亞瑟承擔(dān)這一功能的正是功率半導(dǎo)體。隨著電動(dòng)車和各種綠化智能的需求成為主流,功率器件的重要程度日益提高。據(jù)悉,目前功率半導(dǎo)體器件主要由歐洲、美國、日本三個(gè)和地區(qū)提供,他們憑借***的技術(shù)和生產(chǎn)制造工藝,以及品質(zhì)管理體系,大約占據(jù)了60%的市場(chǎng)份額。此前我們報(bào)道了華為進(jìn)攻功率器件的新聞。而放眼,中國大陸、日本、韓國和歐洲的功率器件競(jìng)賽已然拉開帷幕。日本在功率半導(dǎo)體方面實(shí)力比較強(qiáng)。在功率元件方面占據(jù)優(yōu)勢(shì)的日本半導(dǎo)體企業(yè)有:三菱電機(jī)、富士電機(jī)、日立功率元件、東芝電子元件與存儲(chǔ)器件等等。中堅(jiān)企業(yè)有羅姆、產(chǎn)研電氣、新電元工業(yè)等等。 2020年12月,東芝稱,在截至2024年3月的財(cái)年,東芝將花費(fèi)約800億日元為其位于日本石川縣的工廠增加生產(chǎn)設(shè)備。該集團(tuán)的晶片生產(chǎn)能力將從每月15萬片升至20萬片。額外的晶圓將交付給日本汽車制造商、中國和其他地方的汽車制造商。東芝擅長生產(chǎn)能有效處理300伏特或更低電壓的低壓產(chǎn)品。東芝希望將功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的銷售額提高30%,從目前的1,500億日?qǐng)A左右增至2,000億日?qǐng)A。今年3月10日,東芝又宣布,計(jì)劃引進(jìn)一條新的12英寸晶圓生產(chǎn)線。傳統(tǒng)上,該公司的功率半導(dǎo)體主要使用8英寸晶圓生產(chǎn)。而隨著采用12英寸晶圓生產(chǎn)模擬芯片成為精‌密‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍趨勢(shì),該公司似乎也在跟緊潮流。東芝表示,新廠建成后,可將功率半導(dǎo)體產(chǎn)能提高20%。

據(jù)悉精‌密‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍東芝引進(jìn)12英寸晶圓生產(chǎn)線的主要目標(biāo)是提高低壓MOSFET和IGBT的生產(chǎn)能力。根據(jù)規(guī)劃,新產(chǎn)線將于2023財(cái)年上半年投產(chǎn),該公司表示,將根據(jù)市場(chǎng)趨勢(shì),逐步確定后續(xù)投資計(jì)劃,并將繼續(xù)擴(kuò)大日本工廠的分立器件,特別是功率半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)。富士電機(jī)也表示,到2023財(cái)年將在國內(nèi)外投資1200億日元。該公司計(jì)劃提升馬來西亞和日本以外其他地方工廠的產(chǎn)能,使工人能夠?qū)⑷毡局圃斓牧悴考庸こ沙善?。該公司的目?biāo)是,到2023財(cái)年,汽車占功率半導(dǎo)體銷售額的一半,高于2019財(cái)年的35%。三菱電機(jī)是IGBT模塊的第二大制造商(根據(jù)Omidea的數(shù)據(jù))。他們將部署從夏普收購的廣島縣工廠,以提高產(chǎn)能。今年11月,新工廠將投入200億日元投入運(yùn)營。2022財(cái)年的總產(chǎn)能將比2019財(cái)年翻一番。
除此之外,日本精‌密‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍一些小企業(yè)還在研究潛力無限氧化鎵,并且在元件、基板等方面的研發(fā)。精‌密‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍資料顯示,日本的功率元件方向的氧化鎵研發(fā)始于以下三位:國立研究開發(fā)法人--信息通信研究機(jī)構(gòu)(NICT:National Institute of Information and Communications Technology)的東脅正高先生、京都大學(xué)的藤田靜雄教授、田村(Tamura)制作所的倉又朗人先生。ICT的東脅先生于2010年3月結(jié)束在美國大學(xué)的赴任并回日本,以氧化鎵功率元件作為新的研發(fā)主題并進(jìn)行構(gòu)想。京都大學(xué)的藤田教授于2008年發(fā)布了氧化鎵深紫外線檢測(cè)和Schottky Barrier Junction、藍(lán)寶石(Sapphire)晶圓上的晶膜生長(Epitaxial Growth)等研發(fā)成果后,又通過利用獨(dú)自研發(fā)的薄膜生產(chǎn)技術(shù)(Mist CVD法)致力于研發(fā)功率元件。倉又先生在田村(Tamura)制作所負(fù)責(zé)研發(fā)LED方向的氧化鎵單結(jié)晶晶圓,并考慮應(yīng)用到功率半導(dǎo)體方向。


運(yùn)營項(xiàng)目

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