高精密設備《移入move in移出》
2020-12-25 來自: 亞瑟半導體設備安裝（上海）有限公司 瀏覽次數(shù):299
專注于高精密設備《移入move in移出Arthur發(fā)現(xiàn)新款固態(tài)硬盤發(fā)布：
三款全新NAND固態(tài)盤代表著TLC和QLC作為大容量固態(tài)盤的主流技術正式邁入全新時代。
其中，英特爾?3D NAND 固態(tài)盤670p是用于主流計算的英特爾下一代144層（QLC）3D NAND固態(tài)盤。英特爾固態(tài)盤D7-P5510是推向市場的144層TLC NAND固態(tài)盤，而英特爾固態(tài)盤D5-P5316則是業(yè)內(nèi)采用了144層QLC NAND的數(shù)據(jù)中心級固態(tài)盤。
過去十余年間，英特爾始終致力于推動和發(fā)展內(nèi)存和存儲技術。
英特爾還宣布推出三款采用144層存儲單元的全新NAND固態(tài)盤，
包括適用于主流計算的英特爾下一代144層QLC 3D NAND固態(tài)盤——??半?導?體?設?備?搬?運?
英特爾固態(tài)盤670p；推向市場的144層TLC NAND設計的英特爾固態(tài)盤D7-P5510；
采用業(yè)內(nèi)144層QLC NAND并具備更高密度、??半?導?體?設?備?搬?運?更強的英特爾固態(tài)盤D5-P5316。
新的D7-P5510使用144L 3D TLC NAND，為使用96層TLC的D7-P5500的后繼產(chǎn)品。
由于P5500是OEM的產(chǎn)品，因此P5510還將作為部分客戶群的P4510的后繼產(chǎn)品。
英特爾尚未宣布D7-P5600的144L替代產(chǎn)品。
相比上一代產(chǎn)品，P5510在IOPS性能上有45%左右的提升，而在大帶寬吞吐量上，讀寫分別較上一代提升118%和35%。在讀寫混合場景下的IOPS提升了50%。
另外在延遲，耐久度，TRIM時間等規(guī)格上均有不同程度的提升。
??半?導?體?設?備?搬?運?使用Intel 144LQLC NAND的新品D5-P5316 SSD具有15.36TB和30.72 TB兩個容量規(guī)格，采用U.2或E1.L接口形態(tài)。E1.L版本使得Intel可以采用Ruler形態(tài)的SSD在1U服務器中達到1PB的存儲容量。??半?導?體?設?備?搬?運?
由于P5316取代了較舊的P4326（64L QLC和PCIe3.0接口），它比基于TLC的P5510有了實質(zhì)性的升級。??半?導?體?設?備?搬?運?
除了在QLC產(chǎn)品線中引入英特爾第三代企業(yè)級NVMe SSD控制器外，P5316帶來的重要變化是閃存抽象層FTL的工作方式發(fā)生了重大變化。??半?導?體?設?備?搬?運?
P5316通過更改SSD的FTL，以64kB（而不是4kB）的頁面粒度工作，從而使板載DRAM用量減少了16倍。較粗粒度FTL節(jié)省的DRAM有助于使大容量SSD更加經(jīng)濟實惠，但以嚴重損害性能和增加小塊隨機寫入的寫放大效應為代價。??半?導?體?設?備?搬?運?
業(yè)界的總體趨勢是對此類驅(qū)動器采用NVMe分區(qū)命名空間，從而規(guī)避隨機寫入帶來的問題。??半?導?體?設?備?搬?運?