實(shí)驗(yàn)室設(shè)備搬運(yùn)搬遷安裝移位 半導(dǎo)體起重吊裝快速響應(yīng)的亞瑟報(bào)道：半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍產(chǎn)業(yè)資訊，眾所周知，為增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)和虛擬現(xiàn)實(shí)設(shè)備制作高亮度紅色Micro-LED芯片一直都充滿了各種困難，現(xiàn)在Kubos半導(dǎo)體提出了一種鮮為人知的材料們，并認(rèn)為它可以解決這個(gè)問題。半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍隨著各大科技巨頭爭相推出各種AR和VR設(shè)備，進(jìn)而為用戶提供他們期待已久的生動(dòng)明亮的圖像，他們半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍都遇到了這樣一個(gè)共同的瓶頸：紅色Micro-LED芯片的開發(fā)。由于材料固有缺陷在器件尺寸非常小時(shí)會(huì)帶來嚴(yán)重影響，目前所有LED的發(fā)光效率都會(huì)隨著器件尺寸的減小而直線下降，這其中，紅色LED尤為明顯。

根據(jù)半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍報(bào)道半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍，總部位于英國的初創(chuàng)公司Kubos半導(dǎo)體提出了一種他們認(rèn)為可以很好解決該問題的方案。“一直以來，紅色Micro-LED芯片的開發(fā)讓人們夜不能寐，因?yàn)榇蠹叶疾荒茏層糜谒{(lán)色和綠色LED器件制造的傳統(tǒng)氮化鎵材料在更長的紅色波段下有效工作，”Kubos半導(dǎo)體的首席執(zhí)行官Caroline O'Brien表示：“如果希望尋找到一個(gè)突破口，大家就半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍要以一種不同的方式看待這個(gè)問題，而這就是我們一直在做的方向。半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍那么，紅色Micro-LED芯片的開發(fā)到底遇到了什么問題？實(shí)際問題就是，將典型的藍(lán)色LED從目前的常用尺寸縮小到5微米大小，其發(fā)光效率會(huì)從90%左右驟降到40%左右。雖然出現(xiàn)了很大的降幅，但從應(yīng)用角度來看，這已經(jīng)是能夠接受的了。同樣地情況對(duì)紅色LED來說，其發(fā)光效率會(huì)從60%下驟降到1%左右，如此大的降幅正是目前問題癥結(jié)所在，而造成這種差異的主要原因在于制造這些器件所用的材料不同半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍迄今為止，藍(lán)色和綠色LED通常由氮化銦鎵（InGaN）材料制成。不過，當(dāng)開發(fā)商同樣用InGaN材料制造更長波長的紅色LED器件時(shí)，材料成分的細(xì)微差別會(huì)在器件的發(fā)光區(qū)域產(chǎn)生強(qiáng)烈的偏振場，正是這種偏振場半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍降低了發(fā)光效率。因此，大多數(shù)器件制造商開始選擇使用磷化銦鎵（InGaP）半導(dǎo)體材料來制造紅色LED器件。在Micro-LED應(yīng)用及其擴(kuò)展問題出現(xiàn)之前，這種方法一直很有效。半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍業(yè)內(nèi)一些半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍頭腦的人一直在試圖從現(xiàn)有的Micro-LED材料系統(tǒng)中找到解決方案。藍(lán)色激光二極管先驅(qū)、諾貝爾獎(jiǎng)獲得者中村修二和加州大學(xué)圣巴巴拉分校的同事正在從這個(gè)方向出發(fā)，以通半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍度地減少缺陷效應(yīng)，來提高InGaN和InGaP材料制成的紅色Micro-LED芯片的性能。Zhe Zhuang和沙特阿拉伯阿卜杜拉國王科技大學(xué)（KAUST）的同事們正在使用一種新的化學(xué)處理方法，以提高他們基于GaN材料開發(fā)的紅色Micro-LED的發(fā)光效率。