半導(dǎo)體設(shè)備搬運(yùn)搬遷|半導(dǎo)體設(shè)備搬遷移入|半導(dǎo)體設(shè)備搬運(yùn)公司-亞瑟報(bào)道：SiC功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目的實(shí)施主體為公司的參股子公司士蘭明鎵‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍金將通過士蘭微向士蘭明鎵增資的方式投入。值得一提的是，本次增資后，士蘭微將取得士蘭明鎵的控制權(quán)。‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍該項(xiàng)目是在士蘭明鎵現(xiàn)有芯片生產(chǎn)線及配套設(shè)施的基礎(chǔ)上，通過購置生產(chǎn)設(shè)備提升SiC功率器件芯片的產(chǎn)能，用于生產(chǎn)SiC MOSFET、‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍SiC SBD芯片產(chǎn)品；項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后，將新增SiC MOSFET芯片12萬片/年、‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍SiC SBD芯片2.4萬片/年的生產(chǎn)能力。據(jù)‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍悉，2019年起，隨著SiC MOSFET/SBD芯片在新能源汽車電驅(qū)系統(tǒng)形成明確的應(yīng)用，同時(shí)SiC功率器件在汽車應(yīng)用領(lǐng)域得到持續(xù)推廣，士蘭微加快布局SiC MOSFET/SBD芯片和功率模塊的研發(fā)。目前，‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍國內(nèi)車規(guī)級SiC功率器件供應(yīng)商的產(chǎn)品以SiC二極管為主，而士蘭微通過自身6英寸SiC MOSFET/SBD功率器件芯片中試線，目前已完成平面SiC MOSFET/SBD的研制，性能指標(biāo)達(dá)到國內(nèi)‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍水準(zhǔn)。同時(shí)，作為國內(nèi)主要的半導(dǎo)體IDM企業(yè)之一，士蘭微在車規(guī)級SiC功率器件的芯片設(shè)計(jì)、制造及封裝測試環(huán)節(jié)均有布局，在產(chǎn)品技術(shù)水平、供應(yīng)鏈穩(wěn)定性、產(chǎn)能等方面均具備優(yōu)勢‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍汽車半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目（一期）的實(shí)施主體為士蘭微控股子公司成都士‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍金將通過公司向成都士蘭增資的方式投入‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍該項(xiàng)目將在現(xiàn)有功率模塊封裝生產(chǎn)線及配套設(shè)施的基礎(chǔ)上，通過購置模塊封裝生產(chǎn)設(shè)備提升汽車級功率模塊的產(chǎn)能；‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后，可新增年產(chǎn)720萬塊汽車級功率模塊。