實(shí)驗(yàn)室搬遷經(jīng)驗(yàn),儀器拆卸安裝實(shí)施方案的亞瑟報(bào)道：半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍存儲(chǔ)器的發(fā)展取決于應(yīng)用場景的變化，當(dāng)下智能化時(shí)代的迅速發(fā)展對(duì)存儲(chǔ)器提出了更高的要求，新型存儲(chǔ)器迅速成長。目前新型存儲(chǔ)器阻變存儲(chǔ)器（Resistive Random Access Memory，ReRAM或RRAM）逐漸受到市場重視。半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍近日，英飛凌官方消息稱，其下一代Aurix微控制器將使用嵌入式非易失性存儲(chǔ)器，特別是電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RRAM），而不是嵌入式閃存（eFlash），并將在臺(tái)積電的28納米節(jié)點(diǎn)上制造。當(dāng)前，英飛凌基于臺(tái)積電28納米eFlash技術(shù)的Autrix TC4x系列微控制器樣品已經(jīng)交付給主要客戶，其基于臺(tái)積電28納米R(shí)RAM技術(shù)的半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍樣品將于2023年底提供給客戶。英飛凌表示，Autrix TC4x系列微控制器專為ADAS而設(shè)計(jì)，可提供新的E/E架構(gòu)和經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的AI應(yīng)用。半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍公開資料顯示，嵌入式閃存微控制器自推出半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍發(fā)動(dòng)機(jī)管理系統(tǒng)以來，就被用作汽車中的ECU，市場上大多數(shù)MCU系列都基于eFlash技術(shù)，但該技術(shù)一直在努力遷移到28納米以下，并且業(yè)界認(rèn)為其效率低于RRAM。英飛凌認(rèn)為，與臺(tái)積電的合作成功奠定了RRAM在汽車領(lǐng)域的基礎(chǔ)，并使其Autrix系列微控制器具有更廣泛的供應(yīng)基礎(chǔ)。半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍在新型存儲(chǔ)器中，RRAM不僅滿足高讀寫速度和存儲(chǔ)密度的要求，同時(shí)延遲可降低1000倍，可滿足未來智能駕駛高實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)吞吐量。安全性方面，RRAM具備可靠性，未來有望出現(xiàn)高性能、高集成度、高穩(wěn)定性和低功耗的車規(guī)RRAM存儲(chǔ)器。半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍英飛凌聲稱，臺(tái)積電提供的帶有RRAM的Aurix微控制器將提供更高的抗擾度，半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍并允許按位寫入而無需擦除，從而實(shí)現(xiàn)優(yōu)于嵌入式閃存的性能。英飛凌表示，循環(huán)耐力和數(shù)據(jù)保留與閃存相當(dāng)。臺(tái)積電業(yè)務(wù)發(fā)展高級(jí)副總裁Kevin Zhang表示，臺(tái)積電和英飛凌已經(jīng)在一系列不同應(yīng)用中就RRAM技術(shù)進(jìn)行了近十年的合作，半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍將TC4x遷移到RRAM將為在微控制器縮小到更小的節(jié)點(diǎn)方面開辟新的機(jī)遇。目前，臺(tái)積電的非易失性存儲(chǔ)器解決方案包括閃存、自旋傳遞扭矩MRAM（STT-MRAM）和RRAM。該代工廠還在探索相變RAM（PCRAM）和自旋軌道扭矩MRAM（SOT-MRAM）技術(shù)。據(jù)半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍悉，臺(tái)積電2018年開始量產(chǎn)汽車用40納米eFlash技術(shù)，但其40納米超低功耗嵌入式RRAM技術(shù)，半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍完全兼容CMOS工藝，已于2017年底進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)。2021年，臺(tái)積電代工廠的40納米R(shí)RAM技術(shù)成功進(jìn)入量產(chǎn)，28納米和22納米節(jié)點(diǎn)也可作為物聯(lián)網(wǎng)市場的低成本解決方案。