上海精密儀器設(shè)備移入移出-半導體設(shè)備搬運搬遷的亞瑟報道：‌‌半‍導‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍昨日晚間，閃存大廠美光正式宣布，公司的232層3D NAND Flash正式量產(chǎn)。‌‌半‍導‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍按照美光介紹，這是閃存行業(yè)‌‌半‍導‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍跨入兩百層。與前幾代美光NAND相比，新產(chǎn)品具有業(yè)界‌‌半‍導‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍面密度，可以提供更高的容量和更高的能效，從而為從客戶端到云的數(shù)據(jù)密集型用例提供的支持‌‌半‍導‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍美光的 232 層 NAND是存儲創(chuàng)新的分水嶺，它‌‌半‍導‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍證明了在生產(chǎn)中將 3D NAND 擴展到超過 200 層的能力，”美光技術(shù)和產(chǎn)品執(zhí)行副總裁 Scott DeBoer 說。“這項突破性技術(shù)需要廣泛的創(chuàng)新，包括創(chuàng)建高縱橫比結(jié)構(gòu)的‌‌半‍導‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍工藝能力、新型材料的進步以及基于我們市場‌‌半‍導‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍176 層 NAND 技術(shù)的‌‌半‍導‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍設(shè)計增強。”Scott DeBoer進一步指出。‌‌半‍導‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍除了美光以外，三星和鎧俠也都在爭先恐后的涌向兩百層的閃存。此外，也有報道指出，國內(nèi)閃存企業(yè)長江存儲也將跨過一代，直接邁向232層存儲。由此可見，屬于閃存的新一輪爭霸戰(zhàn)正式開打。‌‌半‍導‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍在閃存堆疊的早期，韓國巨頭三星一直是‌‌半‍導‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍但美光卻在后續(xù)的發(fā)展中迅速追上，并終于在176層閃存上實現(xiàn)了‌‌半‍導‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍超越。而這次232層NAND Flash的量產(chǎn)，更是將美光的‌‌半‍導‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍優(yōu)勢進一步擴大。‌‌半‍導‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍從原理上看，3D NAND Flash是通過在垂直堆棧中將多組單元相互層疊來制造的。閃存芯片中的層數(shù)越多，容量就越高。目前，所有制造商目前都在制造 100 層以上的芯片。美光則聲稱，其量產(chǎn)的232 層技術(shù)代表了世界‌‌半‍導‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍的NAND。據(jù)美光介紹，公司新的232層閃存擁有業(yè)界的 NAND I/O 速度——每秒 2.4 GB (GB/s)。這一速度比美光 176 層節(jié)點上啟用的接口快50%。與上一代閃存相比，232 層 NAND 還提供高達 100% 的寫入帶寬和超過 75% 的讀取帶寬提升。‌‌半‍導‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍此外，232層NAND推出六平面（six-plane）TLC量產(chǎn)NAND。在所有 TLC 閃存的每個die中，其所具有的的平面（plane）是多的，并且每個平面都具有獨立的讀取能力。美光的 232 層 NAND 還是支持 NV-LPDDR4 的生產(chǎn)產(chǎn)品，這是一種低壓接口，與之前的 I/O 接口相比，每比特傳輸節(jié)省 30% 以上。能夠?qū)崿F(xiàn)這樣的速度提升，這當然主要得益于美光在技術(shù)上的創(chuàng)新。‌‌半‍導‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍報道，從技術(shù)角度來看，美光的232L NAND進一步建立在美光那一代磨練出來的基本設(shè)計元素之上。因此，我們再次關(guān)注弦堆疊設(shè)計（string stacked design），美光使用一對116層decks，高于上一代的88層。反過來，116層decks也是值得注意的，因為這是美光‌‌半‍導‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍能夠生產(chǎn)超過100層的單一deck，這一壯舉以前‌‌半‍導‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍于三星能做到。這反過來又使美光能夠僅用兩層decks生產(chǎn)‌‌半‍導‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍的NAND，隨著公司推動總層數(shù)超過300層的設(shè)計，這可能在更長時間內(nèi)是不可能的。