精密儀器設(shè)備裝卸搬運-搬家的亞瑟報道：‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍找到與半導(dǎo)體良好的金屬接觸是一個與半導(dǎo)體本身一樣古老的問題，”斯坦福大學(xué)的研究員 Aravindh Kumar 說。“隨著每一種新的半導(dǎo)體被發(fā)現(xiàn)（在我們的案例中，原子級薄的半導(dǎo)體，如二硫化鉬 (MoS2)，尋找良好接觸的問題再次浮出水面。”‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍ 和他的同事研究人員 Katie Neilson 和 Kirstin Schauble 面臨的問題是尋找接觸電阻 (RC) 幾乎為零的金屬觸點。當(dāng)這些材料集成到電路、LED 或太陽能電池中時，替代方案將浪費金屬-半導(dǎo)體結(jié)處的電壓和功率。為了應(yīng)對這一挑戰(zhàn)，這些斯坦福大學(xué)的研究人員‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍開發(fā)了一種在單層二維半導(dǎo)體上制造合金金屬觸點的新技術(shù)。二維半導(dǎo)體上改進(jìn)的金屬-半導(dǎo)體接觸電阻，結(jié)合過渡金屬二硫化物‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍的光學(xué)特性，可能為下一代邏輯和存儲技術(shù)鋪平道路。據(jù)研究‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍人員稱，二維半導(dǎo)體有望解決大尺寸晶體管中的通道控制問題：減小器件尺寸也會減小通道長度。界面缺陷（由于晶體管柵極溝道的小尺寸）導(dǎo)致載流子遷移率下降。研究人員表示，MoS2等過渡金屬二硫化物‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍材料，因為它們在極薄的厚度下具有高遷移率。 ‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍小組之前的一項研究表明，鎳 (Ni) 和鈀 (Pd) 等高熔點金屬 在沉積在單層 MoS2上時會造成損壞。作為一種‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍三原子厚材料，這會嚴(yán)重降低其電子性能。因此，我們和其他小組嘗試了低熔點金屬，例如銦（In）和錫（Sn），看看它們是否會減少對MoS2的損害。拉曼光譜表明它們實際上對單層 MoS2造成的損傷可以忽略不計。In 和 Sn 非常容易氧化，因此我們用金 (Au) 蓋住這些低熔點金屬觸點，發(fā)現(xiàn)這些觸點的性能非常好。