精密儀器設(shè)備裝卸搬運(yùn)-設(shè)備移位定位運(yùn)輸?shù)膩喩獔?bào)道：SiC的產(chǎn)業(yè)鏈半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍主要由單晶襯底、外延、器件、制造和封測(cè)等環(huán)節(jié)構(gòu)成。SiC襯底處于寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的前端，是前沿、基礎(chǔ)的核心關(guān)鍵材料。而SiC單晶在自然界極其稀有，幾乎不存在。只能依靠人工合成制備。目前工業(yè)生產(chǎn)SiC襯底材料以物半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍相升華法為主，這種方法需要在高溫真空環(huán)境下將粉料升華，然后通過溫場(chǎng)的控制讓升華后的組分在籽晶表面生長(zhǎng)從而獲得SiC晶體。整個(gè)過程在密閉空間內(nèi)完成，有效的監(jiān)控手段少，且變量多，對(duì)于工藝控制精度要求極高。襯底電學(xué)性能決定了下游芯片功能與性能的優(yōu)劣，為使材料能滿足不同芯片的功能要求，需要制備電學(xué)性能不同的SiC襯底。按照電學(xué)性能的不同，SiC襯底可分為低電阻率的導(dǎo)電型SiC襯底，和高電阻率的半絕緣型SiC襯底。半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍與傳統(tǒng)的硅基器件不同，碳化硅襯底的質(zhì)量和表面特性不能滿足直接制造器件的要求，因此在制造大功率和高壓高頻器件時(shí)，不能直接在碳化硅襯底上制作器件，而必須在單晶襯底上額外沉積一層高質(zhì)量的外延材料，并在外延層上制造各類器件。這就形成了SiC外延產(chǎn)業(yè)。半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍在導(dǎo)電型SiC襯底上生長(zhǎng)SiC外延層制得SiC外延片，可進(jìn)一步制成功率器件，功率器件是電力電子行業(yè)的重要基礎(chǔ)元器件之一，廣泛應(yīng)用于電力設(shè)備的電能轉(zhuǎn)化和電路控制等領(lǐng)域。應(yīng)用于新能源汽車、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天等領(lǐng)域；在半絕緣型SiC襯底上生長(zhǎng)氮化鎵外延層制得SiC基氮化鎵（GaN-on-SiC）外延片，可進(jìn)一步制成微波射頻器件，微波射頻器件是實(shí)現(xiàn)信號(hào)發(fā)送和接收的基礎(chǔ)部件，是無線通訊的核心，主要包括射頻開關(guān)、LNA、功率放大器、濾波器等器件，應(yīng)用于5G通訊、雷達(dá)等領(lǐng)域。隨著5G 通訊技術(shù)的發(fā)展和推廣，5G 基站建設(shè)將為射頻器件帶來新的增長(zhǎng)動(dòng)力。去年9月底，華為發(fā)布了《數(shù)字能源2030》白皮書，白皮書中指出，“電力電子技術(shù)和數(shù)字技術(shù)成為驅(qū)動(dòng)能源產(chǎn)業(yè)變革的核心技術(shù)”。未來的能源系統(tǒng)以可再生能源限度地開發(fā)利用、能源效率最高為目標(biāo)，對(duì)能源輸送和控制的安全智能等方面提出更高的要求，具體包括適應(yīng)新能源電力的輸送和分配的網(wǎng)絡(luò)，與分布式電源、儲(chǔ)能等融合互動(dòng)的終端系統(tǒng)，與信息系統(tǒng)結(jié)合的綜合服務(wù)體系等。這些都需要通過電力電子化設(shè)備進(jìn)行運(yùn)行、補(bǔ)償、控制。半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍而目前這些設(shè)備中所使用的基本都還是硅基器件，硅基器件的參數(shù)性能已接近其材料的物理極限，無法擔(dān)負(fù)起未來大規(guī)模清潔能源生產(chǎn)傳輸和消納吸收的重任，節(jié)能效果也接近極限。在這樣的背景下，將帶來新型功率半導(dǎo)體應(yīng)用需求大幅提升，以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體功率芯片和器件，以其高壓、高頻、高溫、高速的優(yōu)良特性，能夠大幅提升各類電力電子設(shè)備的能量密度，降低成本造價(jià)，增強(qiáng)可靠性和適用性，提高電能轉(zhuǎn)換效率，降低損耗。