設(shè)備搬運(yùn)哪家好-設(shè)備搬運(yùn)哪家靠譜找亞瑟的亞瑟精‌密‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍報(bào)道：近日，據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，國(guó)產(chǎn)SiC功率器件供應(yīng)商派恩杰半導(dǎo)體的SiC MOSFET拿下了新能源汽車(chē)精‌密‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍的數(shù)千萬(wàn)訂單。這可以說(shuō)是在國(guó)產(chǎn)SiC MOSFET中取得的一份很不錯(cuò)的成績(jī)，目前在SiC二極管領(lǐng)域國(guó)產(chǎn)化的程度已經(jīng)很高，但SiC MOSFET卻還相對(duì)薄弱，具備研發(fā)和量產(chǎn)能力的企業(yè)更是鳳毛麟角，這其中的原因是什么？派恩杰作為一家初創(chuàng)企業(yè)又憑什么能脫穎而出？精‌密‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍SiC這個(gè)行業(yè)是相對(duì)較新且較細(xì)分的領(lǐng)域，很多仿真軟件不會(huì)專(zhuān)門(mén)為SiC投入太多資源，所以精‌密‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍SiC材料本身的模型數(shù)據(jù)的缺失導(dǎo)致商用軟件在仿真SiC的時(shí)候，給設(shè)計(jì)者帶來(lái)了很大困難。譬如在仿真里設(shè)計(jì)的很好的器件，等到流片出來(lái)后卻發(fā)現(xiàn)，跟設(shè)計(jì)的完全不一樣，”派恩杰半導(dǎo)體創(chuàng)始人兼總裁黃興博士坦言道，“這就需要設(shè)計(jì)者從層物理上的模型，比如SiC自身的電子遷移率、雪崩擊穿的模型、熱學(xué)仿真模型、工藝柵氧生長(zhǎng)等方面對(duì)SiC材料進(jìn)行校準(zhǔn)，不斷的去實(shí)驗(yàn)迭代和完善。”精‌密‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍而黃興博士從2009年北卡州立大學(xué)就進(jìn)行這些方面的研究，他師從“IGBT之父”Jayant Baliga和ETO晶閘管發(fā)明人Alex Q. Huang，2014-2017年在美期間發(fā)布20余款SiC/GaN量產(chǎn)產(chǎn)品，發(fā)布精‌密‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍6英寸SiC3300V MOSFET器件，發(fā)明精‌密‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍可雙向耐壓SiC結(jié)終端結(jié)構(gòu)。黃興博士在SiC行業(yè)有著十余年的經(jīng)驗(yàn)，包括與很多業(yè)內(nèi)科學(xué)家合作，不斷的提取出一個(gè)合適的模型，這個(gè)模型能相對(duì)準(zhǔn)確的讓SiC仿真結(jié)果和實(shí)驗(yàn)結(jié)果的匹配度精‌密‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍的縮短了SiC設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)的時(shí)間。正是這個(gè)原因使得派恩杰能在SiC MOSFET領(lǐng)域突破。一張普通的MOSFET硅晶圓的成本大概在500元人民幣左右，而SiC晶圓一張大約是在3萬(wàn)元人民幣左右，一個(gè)PN （part number）需要200片晶圓，就至少需要600萬(wàn)人民幣，如果開(kāi)發(fā)幾十款料號(hào)，成本將巨額上升。這給SiC企業(yè)帶來(lái)了很大的資金壓力。SiC的加工難度很大，很多代工廠(chǎng)并不具備這樣的加工條件，就限制了研發(fā)迭代的速度，這也是目前很多SiC公司很難推出成熟產(chǎn)品一個(gè)重要原因。精‌密‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍在這方面，派恩杰依靠的是有30年經(jīng)驗(yàn)的車(chē)規(guī)代工廠(chǎng)X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”），它也是首家提供150mm SiC工藝的代工廠(chǎng)。在已經(jīng)合作近三年時(shí)間后，今年9月份，雙方就批量生產(chǎn)SiC晶圓又建立長(zhǎng)期戰(zhàn)略合作關(guān)系。據(jù)了解，過(guò)去三年派恩杰累計(jì)出貨1千萬(wàn)，未來(lái)三年預(yù)計(jì)將超過(guò)8千萬(wàn)。在模型上的多年積累以及X-FAB快速的迭代周期的支持，使得派恩杰這幾年發(fā)展飛速。早在2018年派恩杰就緊鑼密鼓布局車(chē)規(guī)級(jí)半導(dǎo)體芯片，2019年3月，派恩杰成立僅6個(gè)月即發(fā)布了可兼容驅(qū)動(dòng)650V GaN功率器件。同年8月完成Gen3技術(shù)的1200V SiC MOS，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)空白。2020年先后發(fā)布用于5G數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器與工業(yè)輔助電源的650V、1700V工業(yè)級(jí)MOS以及用于車(chē)載充電機(jī)的650V車(chē)規(guī)級(jí)MOS。2021年2月發(fā)布1200V大電流車(chē)規(guī)級(jí)MOS，應(yīng)用于電動(dòng)汽車(chē)電驅(qū)單管及模塊。