冷凍電鏡裝卸搬運(yùn) fib電鏡裝卸搬運(yùn)的亞瑟報(bào)道：精‌密‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍主要客戶完成IP設(shè)計(jì)并開始硅驗(yàn)證的同時(shí)，也在繼續(xù)開發(fā)。除了CMOS邏輯制程外，臺(tái)積電還開展了廣泛的其他半導(dǎo)體技術(shù)的研發(fā)，為客戶提供移動(dòng)SoC和其他應(yīng)用所需的功能。節(jié)點(diǎn)車輪滾滾向前的同時(shí)，成熟制程也越來越顯現(xiàn)其重要性。尤其是應(yīng)用在特殊應(yīng)用（如車用、物聯(lián)網(wǎng)、指紋辨識(shí)、無線充電）的特殊制程，這些特殊制程大都采用的是16nm和28nm等成熟節(jié)點(diǎn)。稱霸精‌密‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍制程還不夠，臺(tái)積電正在沖成熟制程。精‌密‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍一向在成熟制程鮮有更多布局的臺(tái)積電，2月份，臺(tái)積電決定擴(kuò)大其在中國(guó)的28nm產(chǎn)能，但值得精‌密‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍注意的是，直到現(xiàn)在臺(tái)積電也基本從未關(guān)閉過晶圓廠，臺(tái)積電開創(chuàng)的無晶圓廠/代工業(yè)務(wù)模式，與“半導(dǎo)體業(yè)務(wù)模式”，以及現(xiàn)在所說的“集成設(shè)備制造商”或IDM相比，有幾個(gè)優(yōu)勢(shì)。在舊模式中，一家半導(dǎo)體公司擁有晶圓廠，整個(gè)思路就是讓晶圓廠完全填滿業(yè)務(wù)線。該公司需要的只是足夠的業(yè)務(wù)來填補(bǔ)它的晶圓廠，但這還不夠，而且超額的折舊是一個(gè)財(cái)務(wù)負(fù)擔(dān)。而且當(dāng)一家晶圓廠離前沿太遠(yuǎn)，可能就沒有足夠的業(yè)務(wù)可以在其中運(yùn)行，而該晶圓廠就會(huì)關(guān)閉。或者，在許多公司同時(shí)擁有存儲(chǔ)和邏輯業(yè)務(wù)的日子里，他們會(huì)運(yùn)行存儲(chǔ)，然后將fab轉(zhuǎn)換為邏輯，關(guān)閉它而臺(tái)積電不同，臺(tái)積電會(huì)為那些非前沿的制程尋找新的技術(shù)，尋找新的客戶，并維持晶圓廠的運(yùn)轉(zhuǎn)。像CMOS圖像傳感器(CIS)、新型非易失性存儲(chǔ)器或MEMS等特殊的應(yīng)用。隨著臺(tái)積電年?duì)I收規(guī)模將突破1.4億元、并邁向挑戰(zhàn)1.7億元關(guān)卡之際，成熟制程的轉(zhuǎn)型發(fā)展將扮演另一個(gè)長(zhǎng)期營(yíng)運(yùn)動(dòng)能。這就好像亨利·福特(Henry Ford)T型車工廠還在運(yùn)轉(zhuǎn)，但現(xiàn)在為航空航天工業(yè)生產(chǎn)渦輪葉片。精‌密‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍在CMOS圖像傳感器技術(shù)領(lǐng)域，2002年臺(tái)積電協(xié)助客戶將0.8微米畫素的產(chǎn)品導(dǎo)入市場(chǎng)，并于九個(gè)月內(nèi)再將制程推進(jìn)到0.7微米畫素，并及時(shí)導(dǎo)入量產(chǎn)。在縮小畫素尺寸的同時(shí)，相同芯片大小的影像傳感器元件的分辨率可以提高30%。還采用0.13微米雙載子-互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體-擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體技術(shù)及45納米堆疊式CIS（Stacked CIS）技術(shù)，為客戶產(chǎn)出單光子雪崩式二極管（Single Photon Avalanche Diode, SPAD）三維傳感器產(chǎn)品。此外，為了應(yīng)對(duì)堆棧式CIS技術(shù)中，影像訊號(hào)處理器產(chǎn)品更能及更低功耗的需求，進(jìn)一步推出22ULL制程技術(shù)，并加速12FFC制程技術(shù)的開發(fā)。同時(shí)，臺(tái)積公司也建立了28納米CIS制程技術(shù)研發(fā)試產(chǎn)線，協(xié)助客戶未來開發(fā)CIS元件。精‌密‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍在存儲(chǔ)領(lǐng)域，臺(tái)積電這幾年一直在新型存儲(chǔ)領(lǐng)域下功夫。在嵌入式非易失性存儲(chǔ)器(NVM)技術(shù)上，臺(tái)積電在2020年也實(shí)現(xiàn)了幾個(gè)重大的里程碑。在40nm節(jié)點(diǎn)上，該公司成功地批量生產(chǎn)了基于NOR的split-gate電池技術(shù)，以支持消費(fèi)電子和眾多汽車電子應(yīng)用。在28nm節(jié)點(diǎn)上，公司用于惠普移動(dòng)計(jì)算和惠普低泄漏平臺(tái)的嵌入式flash開發(fā)保持了穩(wěn)定的高產(chǎn)量，獲得了消費(fèi)電子級(jí)和汽車電子1級(jí)用途的技術(shù)資格，并計(jì)劃于2021年獲得汽車電子高級(jí)0級(jí)的技術(shù)資格。2020年臺(tái)積電開始生產(chǎn)28nm電阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RRAM)，這是臺(tái)積電為價(jià)格敏感的物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)所開發(fā)的低成本解決方案。精‌密‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍在嵌入式MRAM技術(shù)上，該公司獲得了成功量產(chǎn)22nm MRAM的技術(shù)資格，2020年已開始生產(chǎn)22nm磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)，用于下一代嵌入式內(nèi)存MCU、汽車設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)和人工智能應(yīng)用。臺(tái)積電預(yù)計(jì)22nm節(jié)點(diǎn)的MRAM將在2021年獲得用于汽車電子應(yīng)用的技術(shù)資格。在16nm節(jié)點(diǎn)上，產(chǎn)量穩(wěn)定提高，預(yù)計(jì)將在2021年獲得技術(shù)資格，為下一代微處理器嵌入式內(nèi)存，以及許多汽車、物聯(lián)網(wǎng)和AI設(shè)備應(yīng)用做準(zhǔn)備。另外，在2019年，臺(tái)積電開發(fā)了用于汽車電子和微控制器單元（MCU）的28nm嵌入式閃存技術(shù)。臺(tái)積電的嵌入式閃存技術(shù)范圍從 0.5 微米 (µm) 到28納米，并提供多種閃存 IP選項(xiàng)以滿足各種產(chǎn)品設(shè)計(jì)要求。2020年臺(tái)積電獲得了28nm eFlash汽車電子及微控制器(MCU)應(yīng)用技術(shù)資格。精‌密‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍在混合信號(hào)/射頻 CMOS (MS/RF) 技術(shù)方面，臺(tái)積電占據(jù)了70%的市場(chǎng)份額。2018 年，臺(tái)積電利用其28納米射頻 (28HPC+射頻) 技術(shù)，交付了業(yè)界射頻工藝設(shè)計(jì)套件 (PDK)，以支持 5G 毫米波射頻和汽車?yán)走_(dá)產(chǎn)品設(shè)計(jì)所需的110GHz毫米波和汽車級(jí)150°C的需要。此外，為了提高射頻開關(guān)性能，臺(tái)積電還開發(fā)了一種40nm特殊工藝，用于6Ghz以下應(yīng)用的5G射頻有限元(前端模塊)設(shè)計(jì)。而為了適應(yīng)更高的頻率，臺(tái)積電開發(fā)了一種28HPC+工藝，用于增強(qiáng)5G毫米波有限元設(shè)計(jì)中的功率放大器性能。在16nm技術(shù)方面，臺(tái)積電的16nm FinFET Compact Technology（16 FFC）領(lǐng)代工廠于2018年開始為客戶量產(chǎn)5G移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)芯片。該技術(shù)已擴(kuò)展到下一代無線局域網(wǎng)（WLAN 802.11ax）和毫米波應(yīng)用，以及無線連接應(yīng)用。精‌密‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍在高壓（HV）領(lǐng)域，2020年，臺(tái)積電還開發(fā)了芯片疊片(WoW 28HPC/40HV)，產(chǎn)品收率穩(wěn)定，該技術(shù)可與28HPC+媲美，降低了60%的有功功率。此外，28HV單片技術(shù)完成了客戶IP驗(yàn)證、鑒定和128Mb SRAM良率驗(yàn)證。這些技術(shù)是4K分辨率小面板、OLED(有機(jī)發(fā)光二極管)和120Hz顯示驅(qū)動(dòng)芯片的前沿技術(shù)。臺(tái)積電完成了OLED在硅上的產(chǎn)品認(rèn)證，并以優(yōu)異的良率和照明均勻性轉(zhuǎn)向AR/VR應(yīng)用的量產(chǎn)。2021年，臺(tái)積電計(jì)劃提供該技術(shù)的改進(jìn)版本，并部署8V晶體管，以提高WoW堆疊效率，這將意味著在28HV上的OLED TDDI(觸控顯示驅(qū)動(dòng)集成)應(yīng)用的性能和成本降低。