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精密儀器電鏡搬運(yùn)裝卸維修

2021-07-27 　來(lái)自: 亞瑟半導(dǎo)體設(shè)備安裝（上海）有限公司 瀏覽次數(shù):232
精密儀器電鏡搬運(yùn)裝卸維修報(bào)道：正如精‌密‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍在演講中所說(shuō)制程工藝“節(jié)點(diǎn)”的名稱與晶體管的柵極長(zhǎng)度相對(duì)應(yīng)，并以微米為度量單位。隨著晶體管越變?cè)叫?，柵極的長(zhǎng)度越來(lái)越微縮，我們開(kāi)始以納米為度量單位。精‌密‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍接著說(shuō)，在過(guò)去多年的發(fā)展中，英特爾在工藝制程上面有過(guò)很多的貢獻(xiàn)。例如在1997年，英特爾推出了應(yīng)變硅（strained silicon）技術(shù)，在加上其他技術(shù)方面的創(chuàng)新，進(jìn)而持續(xù)縮小晶體管，讓它們更快、更便宜和更高能效也變得同樣重要。從這時(shí)開(kāi)始，傳統(tǒng)命名方法不再與實(shí)際的晶體管的柵極長(zhǎng)度相匹配。”Pat Gelsinger強(qiáng)調(diào)。精‌密‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍來(lái)到2011年，在英特爾也推出FinFET技術(shù)。這是一種構(gòu)建晶體管的全新方式，具有形狀和結(jié)構(gòu)。正是得益于這種創(chuàng)新性的技術(shù)，摩爾定律繼續(xù)生效，但Pat Gelsinger卻表示，伴隨著這種技術(shù)的出現(xiàn)，行業(yè)進(jìn)一步分化。在精‌密‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍看來(lái)，包括英特爾在內(nèi)整個(gè)行業(yè)使用著各不相同的制程節(jié)點(diǎn)命名和編號(hào)方案，這些多樣的方案既不再指代任何具體的度量方法，也無(wú)法展現(xiàn)該如何實(shí)現(xiàn)能效和性能平衡。“為此，英特爾想要更新自己的命名體系，以創(chuàng)建一個(gè)清晰、一致和有意義的框架，來(lái)幫助我們的客戶對(duì)整個(gè)行業(yè)的制程節(jié)點(diǎn)演進(jìn)有一個(gè)更準(zhǔn)確認(rèn)知，進(jìn)而做出更明智的決策。”Pat Gelsinger強(qiáng)調(diào)。精‌密‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍基于這個(gè)思路，繼去年推出英特爾有史以來(lái)強(qiáng)大的單節(jié)點(diǎn)內(nèi)性能增強(qiáng)的10納米SuperFin節(jié)點(diǎn)后，英特爾又推出了下一個(gè)節(jié)點(diǎn)——我們之前稱它為Enhanced SuperFin——現(xiàn)在更名為Intel 7、緊隨其后的是Intel 4和Intel 3。繼Intel 3之后的那個(gè)節(jié)點(diǎn)，英特爾將其命名為20A，而不是大家以為的Intel 1。精‌密‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍報(bào)道，英特爾在工藝方面也繼承了過(guò)往的一些傳統(tǒng)。如下圖所示，英特爾對(duì)用于生產(chǎn)（production）和進(jìn)入零售（retail）之間是有區(qū)別的；英特爾將某些技術(shù)稱為“準(zhǔn)備就緒”（being ready），而其他技術(shù)則稱為“加速”（ramping'），因此這個(gè)時(shí)間表只是提到的那些日期。正如您想象的那樣，每個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)都可能存在數(shù)年，此圖只是展示了英特爾在任何給定時(shí)間的技術(shù)。該工藝已經(jīng)實(shí)現(xiàn)大批量量產(chǎn)：基于該工藝制造的Tiger Lake 和英特爾的 Xe-LP 獨(dú)立顯卡解決方案（SG1、DG1）已經(jīng)推出；精‌密‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍這個(gè)節(jié)點(diǎn)以前稱為 10nm Enhanced Super Fin 或 10ESF。Alder Lake （正在批量生產(chǎn)）和 Sapphire Rapids 都屬于這一代工藝的產(chǎn)品，由于晶體管優(yōu)化，這代工藝的每瓦性能比 10SF 提高 10-15%。此外，英特爾的 Xe-HP 現(xiàn)在將被稱為英特爾 7 產(chǎn)品。這個(gè)接在在以前稱為 Intel 7nm。英特爾今年早些時(shí)候表示，其 Meteor Lake 處理器將使用基于該工藝節(jié)點(diǎn)技術(shù)的計(jì)算塊，現(xiàn)在該芯片已返回實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行測(cè)試。英特爾預(yù)計(jì)，在這個(gè)節(jié)點(diǎn)下，芯片每瓦性能比上一代提高 20%，并且該技術(shù)使用更多 EUV，主要用于 BEOL。英特爾的下一個(gè)至強(qiáng)可擴(kuò)展產(chǎn)品 Granite Rapids 也將使用Intel 4進(jìn)行生產(chǎn)。需要強(qiáng)調(diào)一下，Intel 4是英特爾完全采用極紫外光刻（EUV）技術(shù)的制程節(jié)點(diǎn)；精‌密‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍以前稱為英特爾 7+。增加 EUV 和新高密度庫(kù)的使用。這就是英特爾的戰(zhàn)略變得更加模塊化的地方——Intel 3 將共享Intel 4 的一些特性，但足夠新來(lái)描述這個(gè)新的完整節(jié)點(diǎn)，特別是新的高性能庫(kù)。盡管如此，預(yù)計(jì)會(huì)很快跟進(jìn)。EUV 使用的另一個(gè)進(jìn)步是，英特爾預(yù)計(jì) 2023 年下半年的制造量將增加，其每瓦性能比Intel 4 提高 18%。以前稱為 Intel 5nm。但新的路想吐轉(zhuǎn)向兩位數(shù)命名，A 代表 Ångström，或 10A 等于 1nm。關(guān)于這個(gè)節(jié)點(diǎn)有很少細(xì)節(jié)，但在這個(gè)節(jié)點(diǎn)，英特爾將從 FinFET 轉(zhuǎn)向其稱為 RibbonFET 的 Gate-All-Around (GAA) 晶體管。此外，英特爾還將推出一種新的 PowerVia 技術(shù)。精‌密‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍這在上圖中未列出，但I(xiàn)ntel預(yù)計(jì)2025年會(huì)有18A工藝。18A將使用ASMLEUV機(jī)器，稱為High-NA機(jī)器，能夠進(jìn)行更光刻。英特爾表示，它是 ASML 在 High-NA 方面的主要合作伙伴，并準(zhǔn)備接收 High-NA 機(jī)器的機(jī)器。ASML宣布 High-NA 被推遲——當(dāng)被問(wèn)及這是否是一個(gè)問(wèn)題時(shí)，英特爾表示不會(huì)，因?yàn)?High-NA 和 18A 的時(shí)間表是英特爾希望交叉并具有無(wú)可置疑的領(lǐng)導(dǎo)地位的地方。精‌密‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍在談到英特爾為何重命名節(jié)點(diǎn)的時(shí)候，anandtech強(qiáng)調(diào)，當(dāng)中的一個(gè)要素是他們要與其他代工廠產(chǎn)品匹配。英特爾的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電和三星都使用較小的數(shù)字來(lái)比較類(lèi)似的密度工藝。隨著英特爾現(xiàn)在更名，他們與行業(yè)更加一致。話雖如此，anandtech暗示，英特爾的 4nm 可能與臺(tái)積電的 5nm 相提并論。到 3nm 我們預(yù)計(jì)會(huì)有一個(gè)很好的平價(jià)點(diǎn)，但這將取決于英特爾與臺(tái)積電的發(fā)布時(shí)間表相匹配。


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