高精密設(shè)備裝卸搬運(yùn)從半導(dǎo)體材料的三項重要參數(shù)看，第三代半導(dǎo)體材料在電子遷移率、飽和漂移速率、禁帶寬度三項指標(biāo)上均有著優(yōu)異的表現(xiàn)。半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍行業(yè)中有“一代材料、一代技術(shù)、一代產(chǎn)業(yè)”的說法。與一些人對“工業(yè)王冠上的鉆石”生產(chǎn)制造上的斷言相似，在芯片制造中，材料若缺席，技術(shù)充其量就是一紙PPT，無法落地為產(chǎn)品。隨著以碳化硅、氮化鎵等寬禁帶化合物為代表的第三代半導(dǎo)體應(yīng)用技術(shù)的進(jìn)步，5G、毫米波通訊、新能源汽車、光伏發(fā)電、航空航天等戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵核心器件的性能將獲得質(zhì)的提升。事實上，國內(nèi)之所以將半導(dǎo)體材料以“代”來劃分，多少緣自于隨著半導(dǎo)體材料的大規(guī)模應(yīng)用而來的三次產(chǎn)業(yè)革命。半導(dǎo)體材料以硅（Si）為代表，其取代了笨重的電子管，推動了以集成電路為核心的微電子產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展。第二代半導(dǎo)體材料以砷化鎵（GaAs）、銻化銦（InSb）等為主，磷化銦半導(dǎo)體激光器是光通信系統(tǒng)的關(guān)鍵器件，砷化鎵高速器件更開拓了光纖及移動通信新產(chǎn)業(yè)。從半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍材料的三項重要參數(shù)看，第三代半導(dǎo)體材料在電子遷移率（低壓條件下的高頻工作性能）、飽和漂移速率（高壓條件下的高頻工作性能）、禁帶寬度（器件的耐壓性能、工作溫度與光學(xué)性能）三項指標(biāo)上均強(qiáng)于硅材料器件。其中，引人注目的是第三代半導(dǎo)體的“寬禁帶（WideBand-Gap，WBG）”。高禁帶寬度的好處是，器件耐高壓、耐高溫，并且功率大、抗輻射、導(dǎo)電性能強(qiáng)、工作速度快、工作損耗低。但參數(shù)的優(yōu)異并不意味著半導(dǎo)體材料一代更比一代好。事實上，一、二、三代半導(dǎo)體材料各有其適合的應(yīng)用范疇，在未來很長的時間中，這三代半導(dǎo)體材料還將共存。