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2021-03-04  來(lái)自: 亞瑟半導(dǎo)體設(shè)備安裝(上海)有限公司 瀏覽次數(shù):223

今年早些時(shí)候,實(shí)驗(yàn)室搬運(yùn)公司-實(shí)驗(yàn)室設(shè)備搬運(yùn)公司-儀器設(shè)備搬運(yùn)-臺(tái)積電宣布了280億美元的巨額投資,許多行業(yè)觀察家將這一增長(zhǎng)歸因于為準(zhǔn)備為英特爾和其他大客戶生產(chǎn)CPU的3納米產(chǎn)能。然而根據(jù)分析師的預(yù)測(cè),情況并非如此 。 據(jù)實(shí)?驗(yàn)?室?搬?遷?在本周早些時(shí)候的預(yù)測(cè),目前,臺(tái)積電的N5產(chǎn)能約為每月55,000?60,000晶圓啟動(dòng)(WSPM)。鑒于臺(tái)積電無(wú)法再為華為的海思半導(dǎo)體提供服務(wù),該晶圓代工廠的主要和N5客戶是蘋果公司,該公司利用這項(xiàng)技術(shù)為其產(chǎn)品生產(chǎn)了A14 Bionic和M1片上系統(tǒng)。蘋果是臺(tái)積電的主要客戶之一,可以盡早使用工藝技術(shù),并且是節(jié)點(diǎn)的公司之一。 預(yù)計(jì)今年晚些時(shí)候,臺(tái)積電的其他客戶(例如AMD和高通)將開始使用制造商的N5制造工藝,屆時(shí)對(duì)該技術(shù)的需求將大大增加。分析師表示,為了滿足2021年及其后幾年對(duì)N5節(jié)點(diǎn)的需求,臺(tái)積電將把其資本支出的絕大部分用于擴(kuò)大N5容量。  

實(shí)?驗(yàn)?室?搬?遷?認(rèn)為,臺(tái)積電未來(lái)的N5容量將是當(dāng)前的兩倍,即達(dá)到110,000?120,000 WSPM,這實(shí)質(zhì)上意味著臺(tái)積電將在一年后擁有專門用于N5系列的GigaFab,其中包括N5,N5P,和N4技術(shù)。所有這些過程在設(shè)計(jì)規(guī)則,IP和SPICE級(jí)別上都是兼容的,這也是它們將在未來(lái)幾年中使用的技術(shù)。 實(shí)?驗(yàn)?室?搬?遷?臺(tái)積電的另一個(gè)長(zhǎng)節(jié)點(diǎn)將是其N3(3 nm)技術(shù)。與N5相比,N3工藝有望提供高達(dá)15%的性能提升(在相同的功率和晶體管數(shù)下),或高達(dá)30%的功耗降低(在相同的速度和晶體管數(shù)下),以及多達(dá)20%的性能提升。SRAM密度提高了%,邏輯密度提高了70%。臺(tái)積電預(yù)計(jì)N3將于今年晚些時(shí)候進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn),而批量生產(chǎn)預(yù)計(jì)在2022年下半年進(jìn)行。請(qǐng)實(shí)?驗(yàn)?室?搬?遷?記住,再過一年將不再需要N3進(jìn)行批量生產(chǎn)(HVM),對(duì)于臺(tái)積電來(lái)說(shuō),在2021年日歷上花大量的時(shí)間在N5上而不是在2022年為N3做準(zhǔn)備是合乎邏輯的。預(yù)計(jì)該公司今年仍將建設(shè)一條試驗(yàn)性的N3生產(chǎn)線,產(chǎn)能約為10,000?15,000 WSPM。  
N3和N5節(jié)點(diǎn)都廣泛依賴于極紫外(EUV)光刻。為了擴(kuò)大N5的容量并裝備N3晶圓廠,TSMC將需要采購(gòu)并交付ASML的Twinscan NXE光刻機(jī)。EUV工具需要大約六個(gè)月的時(shí)間進(jìn)行校準(zhǔn),因此臺(tái)積電的擴(kuò)展計(jì)劃以確保在需要時(shí)準(zhǔn)確準(zhǔn)備好設(shè)備。 
如今,臺(tái)積電(很大程度上在半導(dǎo)體行業(yè))的主要不確定因素是英特爾的外包計(jì)劃。到目前為止,該公司已經(jīng)披露了將某些GPU和SoC外包給臺(tái)積電(TSMC)的計(jì)劃,并且相信這些芯片將使用臺(tái)積電(TSMC)的N5或N7節(jié)點(diǎn)制造。然而,目前尚不清楚這家芯片巨頭是否打算將其主流和高性能CPU的生產(chǎn)外包給臺(tái)積電。  
從晶體管實(shí)?驗(yàn)?室?搬?遷?密度的角度來(lái)看,英特爾的10nm SuperFin制造工藝(約*** MT / mm2)可與臺(tái)積電的N7 +技術(shù)(約115 MT / mm2)相提并論,但英特爾自己的技術(shù)可能仍然更適合該公司。已為此節(jié)點(diǎn)量身定制了CPU。同時(shí),臺(tái)積電的N5在晶體管密度(?170 MT / mm2)方面具有顯著優(yōu)勢(shì),這點(diǎn)尤其是在GPU方面是不容忽視的。當(dāng)英特爾在2023年有時(shí)準(zhǔn)備好采用其7納米技術(shù)(預(yù)計(jì)將使現(xiàn)有晶體管密度增加一倍)時(shí),它仍將落后于臺(tái)積電的N3,這意味著英特爾將其中的一部分外包出去是有意義的。該公司向臺(tái)積電(TSMC)出售的產(chǎn)品,正是幾周前新任首席執(zhí)行官帕特里克·基辛格(Patrick Gelsinger)所說(shuō)的。
“出于工程資源/資本支出分配的利益,我們認(rèn)為英特爾不太可能在同一制程中同時(shí)進(jìn)行內(nèi)部和外部混合晶圓生產(chǎn);因此,我們期望任何外包決策都將是二進(jìn)制結(jié)果(即,全部”,其他則什么也沒做),” 分析師l在給客戶的說(shuō)明中寫道。“鑒于臺(tái)積電在EUV技術(shù)和容量準(zhǔn)備方面顯然已經(jīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)于英特爾,考慮到其目前的立場(chǎng),我們預(yù)計(jì)英特爾的CPU外包將是前進(jìn)的途徑?!?nbsp;
如果英特爾繼續(xù)計(jì)劃將其大部分產(chǎn)品外包給臺(tái)積電,以在2022年趕上AMD,那么該晶圓廠是否有足夠的能力服務(wù)于英特爾及其現(xiàn)有客戶還有待觀察,特別是保持請(qǐng)記住,由于AI,HPC和邊緣計(jì)算的大趨勢(shì),與當(dāng)前節(jié)點(diǎn)的需求相比,N3節(jié)點(diǎn)的需求可能更高。 
實(shí)?驗(yàn)?室?搬?遷?英特爾的財(cái)務(wù)角度來(lái)看,資本支出非常省錢,可以利用臺(tái)積電的制造能力來(lái)制造產(chǎn)品,同時(shí)專注于架構(gòu)創(chuàng)新,但對(duì)于英特爾的長(zhǎng)遠(yuǎn)未來(lái)而言,這可能并不是一個(gè)好的計(jì)劃。臺(tái)積電已經(jīng)比英特爾擁有更多的EUV經(jīng)驗(yàn),并且在EUV實(shí)?驗(yàn)?室?搬?遷?生態(tài)系統(tǒng)中也具有標(biāo)準(zhǔn)制定能力。如果英特爾不追趕潮流,那么它將持續(xù)很多年,并且將無(wú)法利用其制造工藝作為與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。 

運(yùn)營(yíng)項(xiàng)目

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