TEM測(cè)試透射電鏡測(cè)試_亞瑟搬運(yùn)元素分析在電鏡分析中經(jīng)常使用，隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，現(xiàn)代分析型電鏡通過(guò)安裝 X射線能譜、能量過(guò)濾器、高角度環(huán)形探測(cè)器等配件， 逐步實(shí)現(xiàn)了在多學(xué)科領(lǐng)域、 納米尺度下對(duì)樣品進(jìn)行多種信號(hào)的測(cè)試，從而可以獲得實(shí)?驗(yàn)?室?搬?遷?結(jié)構(gòu)以及成分信息。以下是幾種現(xiàn)在常用的電鏡中分析元素的方法。

X 射線能譜（ Energy-dispersive X-ray spectroscopy, EDS）是微區(qū)成分分析常用的一種方法，其物理基礎(chǔ)是基于樣品的特征 X 射線。當(dāng)樣品原子內(nèi)層電子被入射電子激發(fā)或電離時(shí)，會(huì)在內(nèi)層電子處產(chǎn)生一個(gè)空缺，原子處于能量較高的激發(fā)狀態(tài)，此時(shí)外層電子將向內(nèi)層躍遷以填補(bǔ)內(nèi)層電子的空缺，從而釋放出具有能量的特征 X 射線。

電子能量損失譜（ Electron energy-loss spectroscopy, EELS）入射電子穿透樣品實(shí)?驗(yàn)?室?搬?遷?時(shí)，與樣品發(fā)生非彈性相互作用，電子將損失一部分能量。如果對(duì)出射電子按其損失的能量進(jìn)行統(tǒng)計(jì)計(jì)數(shù)，便得到電子的能量損失譜。由于非彈性散射電子大都集中分布在一個(gè)頂角很小的圓錐內(nèi)，適當(dāng)?shù)胤胖锰筋^， EELS 的接受效率會(huì)很高， 相比 EDS分析， EELS 的記譜時(shí)間更短， 特別是用于小束斑分析薄樣品時(shí)；另外， EDS 在探測(cè)輕元素（ Z＜11）時(shí)只有 1%的信號(hào)能接收到，且譜線重疊比較嚴(yán)重，而 EELS 的能量分辨率（ 1eV）遠(yuǎn)高于 EDS（ 130eV），因此， EELS 在探測(cè)輕元素方面更有優(yōu)勢(shì)；而且，除了對(duì)樣品進(jìn)行定性和定量的成分分析外， EELS 的精細(xì)結(jié)構(gòu)還可提供元素的化學(xué)鍵態(tài)、鄰原子配位等結(jié)構(gòu)信息，這是其他電子顯微分析方法所不能比擬的。

Z 襯度像/HAADF-STEM 像（ Z-contrast Imaging/ High angle annular dark field image,HAADF）20 世紀(jì) 90 年代以來(lái)，隨著實(shí)?驗(yàn)?室?搬?遷?電鏡硬件的不斷發(fā)展，尤其是具有場(chǎng)發(fā)射電子槍的超高真空電鏡的出現(xiàn)和普及，一種高分辨掃描透射成像技術(shù)，即高分辨或原子分辨率的原子序數(shù)（ Z）襯度像（ High Resolution or Atomic Resolution），在材料微觀分析方面嶄露頭角，成為當(dāng)代電子顯微技術(shù)發(fā)展的新領(lǐng)域。 Z 襯度成像也可稱(chēng)為掃描透射電子顯微鏡高角環(huán)形暗場(chǎng)像（ HAADF-STEM， High Angle Angular Dark Field-Scanning Transmission Electron Microscopy）。在 TEM 中，被高電壓加速的電子照射到試樣上，實(shí)?驗(yàn)?室?搬?遷?入射電子與試樣中原子之間發(fā)生多種相互作用。其中彈性散射電子分布在比較大的散射角范圍內(nèi)，而非彈性散射電子分布在較小的散射角范圍內(nèi)，因此，如果只探測(cè)高角度散射電子則意味著主要探測(cè)的是彈性散射電子。這種方式并沒(méi)有利用實(shí)?驗(yàn)?室?搬?遷?中心部分的透射電子，所以觀察到的是暗場(chǎng)像。