韓國貿(mào)易，工業(yè)和能源部（MOTIE）光學(xué)納米顯微鏡??實(shí)?驗(yàn)?室?搬?遷?的裝卸與搬運(yùn)宣布計劃增加對國內(nèi)SiC和GaN業(yè)務(wù)的投資支持。此外，SK??實(shí)?驗(yàn)?室?搬?遷?集團(tuán)最近加強(qiáng)了對化合物半導(dǎo)體的投資。預(yù)計隨著公司和政府投資的結(jié)合，SiC和GaN市場將加速增長。

碳化硅??實(shí)?驗(yàn)?室?搬?遷?（SiC）和氮化鎵??實(shí)?驗(yàn)?室?搬?遷?（GaN）半導(dǎo)體市場將看到加速增長的趨勢。2月1日，MOTIE宣布，它將加大對研發(fā)和基礎(chǔ)設(shè)施擴(kuò)展的支持，以從2021年起搶占SiC和GaN市場。同時，國內(nèi)公司也開始進(jìn)行一系列相關(guān)投資。1月28日，SK集團(tuán)向YEST的子公司Yes Power Technix投資了268億。Yes Power Technix成立于2017年，研究和開發(fā)SiC器件，其***mm和150mm生產(chǎn)線的SiC晶圓年生產(chǎn)能力為14,000片/年。此外，SK Group的SK Siltron最近收購了杜邦的SiC晶圓業(yè)務(wù)。由于帶隙大于傳統(tǒng)Si半導(dǎo)體的3倍，因此SiC和GaN半導(dǎo)體每單位面積可承受的電壓是傳統(tǒng)半導(dǎo)體的10倍。作為參考，GaN和SiC的帶隙分別為3.4 eV和3.2 eV，遠(yuǎn)高于當(dāng)前使用的Si的1.1 eV。